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桌上型电脑专用记忆体模组 PC3200/ PC2700/ PC2100 记忆容量 产品特色 DRAM 设定 产品规格 频宽测试报告 产品评比 产品放大图   获奖纪录 获奖记录 记忆体 奖项 PC3200/ DDR400 PC2700/ DDR333 PC2100/ DDR266 记忆容量 PC3200/ 2700/ 2100 184 Pin DDR Unbuffered DIMM Capacity Chip Configuration Chip Type Non-ECC With ECC 128MB 16Mx16(x4)   DDR SDRAM 256MB 32Mx8 (x8) 32Mx8(x9) DDR SDRAM 512MB 32Mx8 (x16) 32Mx8(x18) DDR SDRAM 1GB 64Mx8(x16) 64Mx8(x18) DDR SDRAM 产品特色 184 edge connector pads Clock Frequency 200/ 166/ 133 MHz SSTL-2 interface 2.6 Voltage +/- 0.2V Package TSOP DRAM 设定 DR400 TwinMOS/TwinMOS: T(RAS, Active to Precharge) - 8 T(RCD, Active to CMD) - 3 T(RP, Precharge to Active) - 3 Cas Latency - 2,5 Voltage: 2,6Vdimm +/- 0,1V 产品规格 Double Data Rate architecture MRS cycle with address key programs *CAS latency: CL2, 2.5 & 3 *Burst length: 2, 4 & 8 *Burst type: Sequential & Interleave 2 variations of refresh *Auto refresh *Self refresh Serial Presence Detect support 2 Banks to be operated simultaneously or independently 频宽测试报告 ( 点选放大 ) * * Prepared by TwinMOS Lab.   * 产品规格如有变动，恕不另行通知。